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用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布，对Pd为基底的p型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属－半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。
p型GaP与Pd／Zn／Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性
【摘 要】
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用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布，对Pd为基底的p型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属－半导体接触层形成良
【机 构】
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兰州大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1993年3期
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