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在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.
Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响
【摘 要】
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在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层
【机 构】
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复旦大学微电子学系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年z1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(批准号:60106002,60206002)
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