基于阳极键合干法刻蚀技术的MEMS隧道加速度计的加工及测试

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zgrgyj1985
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提出了一种基于北京大学硅玻璃键合深刻蚀释放工艺的扩展工艺,用来加工微型隧道加速度计,采用HP4145B半导体分析仪在大气环境下对所加工的器件进行了开环测试,验证了隧道电流的存在以及隧道间隙与隧道电流之间的指数关系,实验结果外推出的隧道势垒的范围为1.182~2.177eV。大部分器件的开启电压在14~16V之间,在-1,0和+lg三种状态下对开启电压分别进行了测试,得到加速度计的灵敏度约为87mV/g。
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