【摘 要】
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用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅
【机 构】
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中国科学院半导体材料科学实验室,中国科学院半导体材料科学实验室 北京100083,北京100083
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用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅衬底上刻槽的几何形状对外延层的微缺陷特性及生长行为有一定影响,和Si{001}晶面相比,Si{113}可能是一个有利于生长半导体异质结的晶面.
GaAs / Al_ (0.3) Ga_ (0.7) As superlattice materials were grown on the grooved {001} silicon substrate by molecular beam epitaxy. The cross-sectional transmission electron microscopy Growth behavior and microstructure were observed.The results show that the geometry of groove on Si substrate has some influence on the micro-defect and growth behavior of epitaxial layer, Si {113} may be A crystal plane conducive to the growth of semiconductor heterojunction.
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