【摘 要】
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为了评估静态随机访问存储器（SRAM）型现场可编程门阵列（FPGA）器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转
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为了评估静态随机访问存储器（SRAM）型现场可编程门阵列（FPGA）器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类。结果表明：SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表（LUT）及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转（SEU）敏感性并不一致,输入输出端口（IOB）控制位和LUT的单
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