【摘 要】
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本文提出一种以多晶硅为辅助层的剥离技术,运用该技术已研制成功铝栅100位CCD模拟延迟线.实验表明此项技术在长细线条、窄间距(2.5μm以下)、高集成度的金属化工艺中容易获得
【机 构】
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北京工业大学微电子学研究室,北京工业大学微电子学研究室
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本文提出一种以多晶硅为辅助层的剥离技术,运用该技术已研制成功铝栅100位CCD模拟延迟线.实验表明此项技术在长细线条、窄间距(2.5μm以下)、高集成度的金属化工艺中容易获得高的成品率.填在转移电极间隙的多晶硅层可以发挥度好的钝化作用.对于三相电极结构中互连“地道”的设计做了改进.
In this paper, a polycrystalline silicon as an auxiliary layer stripping technology, the use of the technology has been successfully developed aluminum grating 100-bit CCD analog delay line experiments show that this technology in the long thin lines, narrow pitch (2.5μm), highly integrated A high yield is easily achieved in the metallization process, and the polycrystalline silicon layer filled in the interstice of the transfer electrode can exert a good passivation effect. The design of the “tunnel” interconnection in the three-phase electrode structure is improved.
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