P型GaN的渐变δ掺杂研究

• 作 者: 邹泽亚 刘挺 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 杨谟华
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,重庆光电技术研究所
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: 渐变δ掺杂 Mg掺杂 P型GAN 两步退火 MOCVD gradual-δ-doping Mg-doping p-GaN two steps anneal
• 基金项目: 重庆市科技攻关项目（2005AA8006-B7）

采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜，对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现，经过950℃下的第一次退火后，样品空穴浓度为1．64×10^16cm^-1，电阻率为77．9Ω·cm。经过750℃下的第二次退火后，样品的空穴浓度增大了10倍，电阻率减小为原来的1／20。分析认为，渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应，两步退火提高了Mg的激活效率，从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率。实验还发现，经过750℃下15min的第二次退火后得到的样