【摘 要】
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我们研究了用SiCl_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。通过实验,找到了淀积氮化硅薄膜的较佳工艺条件。该工艺在N-沟硅栅MOS工艺线上进行考验,电路芯片有较高的成品率,
【机 构】
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西北电讯工程学院,西北电讯工程学院,骊山微电子公司,骊山微电子公司 77届毕业生,77届毕业生
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我们研究了用SiCl_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。通过实验,找到了淀积氮化硅薄膜的较佳工艺条件。该工艺在N-沟硅栅MOS工艺线上进行考验,电路芯片有较高的成品率,说明低压化学气相淀积氮化硅薄膜的质量是符合工艺要求的。由于所用原料容易获得,设备简单,操作方便,适合于大批量生产,易于推广。
We studied the SiCl 4 -NH 3 system by low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride film. Through experiments, we find the best conditions for the deposition of silicon nitride film. The process in the N-groove silicon gate MOS process test, the circuit chip has a higher yield, indicating the quality of low-pressure chemical vapor deposition of silicon nitride film is in line with process requirements. As the raw materials are easy to obtain, the equipment is simple, easy to operate, suitable for mass production, easy to promote.
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