论文部分内容阅读
在周期边界条件下的k空间中，采用基于密度泛函理论的广义梯度近似（GGA）平面波超软赝势法，建立H12Si31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅（Porous Silicon，PS）（001）表面最外层的Si—H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究．计算得到氢化PS（001）表面几何结构Si—H键长为0．148nm、H—Si—H键角为106°，并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性．