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通过对不同沉积电压与沉积时间的研究,确定了电化学沉积ZnO纳米棒阵列的最佳工艺条件.在-0.5V沉积电压下沉积20h制备出了ZnO纳米棒阵列薄膜,研究结果表明：纳米棒阵列均匀致密,直径在200nm左右,并且具有高度的c轴择优取向.
电化学沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的研究
【摘 要】
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通过对不同沉积电压与沉积时间的研究,确定了电化学沉积ZnO纳米棒阵列的最佳工艺条件.在-0.5V沉积电压下沉积20h制备出了ZnO纳米棒阵列薄膜,研究结果表明：纳米棒阵列均匀致密,
【机 构】
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合肥工业大学材料科学与工程学院
【出 处】
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安徽化工
【发表日期】
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2013年5期
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