【摘 要】
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采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸附位讨论了Ce-Si成键特性和状态密度.结果表
【机 构】
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复旦大学现代物理所,复旦大学现代物理所
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采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸附位讨论了Ce-Si成键特性和状态密度.结果表明,Ce原子的5d和4f轨道与Si原子的3p轨道相互作用,在费米能级以下形成了混杂的能级,同时5d和4f轨道的能量降低,获得少量6s轨道的电荷,而整个Ce原子失去约0.8个电子.计算所得结果及态密度在吸附前后的变化与第一性原理的DVM计算符合较好.
The Ce atom was adsorbed at the top and the third of Si (111) by using the group model and the semi-empirical EHT method. The stable adsorption sites were determined by the lowest total energy of the system. At the most stable tertiary adsorption sites, Ce- Si bond properties and state density.The results show that the 5d and 4f orbitals of Ce atoms interact with the 3p orbital of Si atom to form a mixed energy level below the Fermi level and the energy of 5d and 4f orbitals decrease A small amount of 6s orbitals, while the entire Ce atom lost about 0.8 electrons. The calculated results and the density of states before and after adsorption changes with the first-principles DVM calculated in good agreement.
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