【摘 要】
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位于美国加利福尼亚州圣尼维尔（Sunnyvale）的高密度存储器解决方案供应商MoSys公司近日取得了一项技术突破，使得传统SRAM的密度提高了三倍。这项被称为1T-SRAM-Q的独有技术，是专
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位于美国加利福尼亚州圣尼维尔（Sunnyvale）的高密度存储器解决方案供应商MoSys公司近日取得了一项技术突破，使得传统SRAM的密度提高了三倍。这项被称为1T-SRAM-Q的独有技术，是专门针对不断增长的消费类产品的低功耗要求及高性能产品的高带宽要求而设计的，这些需求均要求采
MoSys, a provider of high-density memory solutions based in Sunnyvale, Calif., Recently made a technological breakthrough that quadrupled the density of traditional SRAMs. This unique technology, known as 1T-SRAM-Q, is designed to address the low power requirements of growing consumer products and the high bandwidth requirements of high performance products, all of which are required
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