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介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Ｓｉ片的定向自截止腐蚀，制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Ｓｉ平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在３￣４μｍ的Ｓｉ平面薄膜，在扫描范围为１０００μｍ时，它的表面粗糙度为几十纳米；ＳＥＭ测量表明，Ｓｉ薄膜表面颗粒度在纳米量级；探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Ｓｉ膜表面粗糙度的方法。