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通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转烃区的宽度，给出了一种利用WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程，并得到一个FN电流铁分析表达式。它可用来估计薄栅MOS结构的栅氧化层的势垒转变区的宽度。在转变区的宽度小于1nm时，它与数值求解薛定谔方程的结果吻合得很好，表明该方法可以用来估计势垒转变区的宽度。实验的结果表明B因子随温室有较大的变化，这个结果验证了该方法的部分预测结果。