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首次发现ＳｉＣ纳米粉的光致发光效应，通过透射电镜、选区电子衍射、Ｘ射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析，证明量子限制效应是β－ＳｉＣ纳米粉发光的主要机理。
SiC纳米粉的光致发光研究
【摘 要】
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首次发现ＳｉＣ纳米粉的光致发光效应，通过透射电镜、选区电子衍射、Ｘ射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析，证明量子限制效应是β－ＳｉＣ纳米粉发光的主要机理。
【机 构】
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北京科技大学理化系,浙江大学材料系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年6期
【基金项目】
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中国科学院北京电镜中心资助
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