【摘 要】
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据《化合物半导体》2009年12月刊报导,在国际电子器件会议上,纳米电子研究中心IMEC介绍了一种应用于硅基GaN功率开关器件的硅基GaN双异质FET结构,该结构富于创新、结构简单、
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据《化合物半导体》2009年12月刊报导,在国际电子器件会议上,纳米电子研究中心IMEC介绍了一种应用于硅基GaN功率开关器件的硅基GaN双异质FET结构,该结构富于创新、结构简单、性能稳定,并能满足功率开关电路常断要求,具有低泄漏、高击穿电压特性,而这两个特性是减少高功率开关功
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