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本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W<sub>1</sub> 可能是与As<sub>Ga</sub>有关的 EL3缺陷,W<sub>4</sub>为热应力产生的缺陷.P<sub>1</sub> 与V<sub>Ga</sub>有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负