AlGaAs／GaAs—MQW激光器光增益谱理论和实验

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：happy264

【摘要】

：

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽Lx、AlxGa<su

【作者】

：

张敬明徐俊英

【机构】

：

集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体研究所北京100083,北京100083,北京100083

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1992年2期

【关键词】

：

半导体激光器光增益矩阵理论

【基金项目】

：

“863”高技术资助项目

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本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽Lx、AlxGa1-xAs势垒层x值和带内弛豫时间τin对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.

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