新型双环路电流型压控振荡器

• 作 者: 王钊 刘飞 等
• 机 构: 北京大学微电子所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2002年3期
• 关键词: 负延迟机制 CMOS 电流型压控振荡器 相位噪声 双环路 negative skew scheme CMOS VCO phase noise

基于电流环振结构，同时应用了负延迟前接机制，实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构，不仅提高了压控振荡器的振荡频率，而且也优化了噪声特性。设计采用1.2um上海贝岭BsimCMOS工艺参数，利用Ca-dence Spectre工具仿真。仿真结果表明，新结构与其他结构相比在频率特性上有近200MHz的提高，噪声特性方面则有明显改进，偏移中心频率100kHz处的相位噪声为-75dbc/Hz。