【摘 要】
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为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性仍很好。应用该法研究了低温条件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的扩散行为。实验首次发现,Zn在InGaAsP材料中的扩散速率与材料中P含量的平方成正比。
In order to precisely select and diffuse the InP / InGaAs (P) material and to ensure that the multi-layer heteroepitaxial growth is not damaged, a new low-temperature open-tube Zn diffusion method is proposed. The method until T = 500 ℃, t = 5min conditions, the repeatability is still good. The diffusion behavior of Zn in InP and InGaAs (P) materials at low temperature was studied by this method. The experiment found for the first time that the diffusion rate of Zn in InGaAsP material is proportional to the square of the P content in the material.
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