Rh掺杂的Ru2Si3的电子结构及光学性质

• 作 者: 崔冬萌 贾锐 谢泉 赵珂杰
• 机 构: 中国科学院微电子研究所,贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2012年9期
• 关键词: 掺杂Ru2Si3 电子结构 光学性质 第一性原理 doped Ru2Si3； electronic structure； optical properties；
• 基金项目: 国家自然科学基金（2908YB013001,110360706023）, 吉林省自然科学基金（201115122）资助项目

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似（GGA）对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明：掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1（0）=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。