【摘 要】
：
测量了双掺砷、镓,掺杂浓度～10~(13)cm~(-3),补偿程度～0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T
【机 构】
：
中国科学院新疆物理研究所,中国科学院新疆物理研究所,中国科学院新疆物理研究所,中国科学院新疆物理研究所
论文部分内容阅读
测量了双掺砷、镓,掺杂浓度～10~(13)cm~(-3),补偿程度～0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T<6K时,电导特性满足变距跳跃电导的T~(1/4)关系.在1060K时,基本带的扩展态电导起主要作用.在弱磁场下观察到负磁阻效应,磁场强度增大时磁阻变成正值.N型和P型样品的正磁阻部分分别与磁场强度的2.8次方和2次方成正比.
The conductivity of 2.5-300K N-type and P-type germanium doped with arsenic and gallium doped at a concentration of ~ 10 ~ (13) cm ~ (-3) and a compensation level of ~ 0.9 were measured. The magnetic reluctance in magnetic field.When T <6K, the conductance characteristics meet the T ~ (1/4) relationship of the variable pitch jump conductance.The conductance behaves as the phonon-assisted jump conductance at 10 60K, the basic band of the extended state electric conductivity plays a major role in the negative magnetic field observed in the negative magnetoresistance, magnetic field strength increases when the magnetic resistance becomes positive.N-type and P-type positive magnetic resistance part of the magnetic field The square of the power is proportional to the power of 2.8.
其他文献
电子和固体之间的散射是一个复杂的过程。采用蒙特卡罗模拟的方法处理,首先要确立电子散射模型。目前有如下电子散射模型:(1)电子直线传播模型。Davis在1918年提出的。(2)完
通常用各种结谱方法求得的深能级激活能实际上是在测量温度范围内的平均离化焓.本文通过对作者最近观测到的两个硅中与铜有关的深能级E_1和E_2以及硅中金受主能级的仔细分析,
To expand the application of cellulose in the field of fluorescence techniques, the cotton cellulose was labeled with norfloxacin (Cell-NF) via a three-step rea
本文从Maxwell—Bloch方程出发,运用Bre-wer及Shoemaker理论,讨论了矩形空心波导中混杂模的光学章动效应,求出了在弱场情况下光学章
Starting from the Maxwell-Bloch equa
关于发光材料方面的文献比较多。其中氧化物发光材料常能见到,如德国专利789、890号中的锰激活的氮化铝和苏联报道的镧系元素激活的氮化镁硅(MgSiN)等。这种氮化物还没有在
环保节能个人电脑(Green PC)之所以不同于一般传统的电脑,就是在于其有电源管理的功能,能让系统在开机且没有使用的状态下,减少其耗电量,以达到节约能源的目的。电脑在平常
A poly(dimethylsiloxane)(PDMS)/glass hybrid microchip for on-line solid phase extraction (SPE) and electrophoresis separation has been developed and evaluated.
1974年首次论证了GaAs的高速性能。从那时起,随着市场的稳定,GaAs数字集成电路已从实验室小规模实验转到实际制造工艺中。现在能制造LSI GaAs IC,并且正在研究VLSI结构。本文
用国产 MBE设备生长的不掺杂 GaAs/AlAs多量子阱(MQW)结构,在 4.2 K光荧光谱中观测到一条特殊的光谱线——I线.其半高宽为 6.5—9meV,发光较强,位于体 GaAs的带间跃迁与自由
对于目前和今后的某些器件制造工艺来说,高能(MeV)离子注入都显示出常规工艺所没有的优越性。
For some device manufacturing processes now and in the future, high ener