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本文介绍了基于新型GaN宽禁带半导体材料的大功率器件的特点和优势，采用微波仿真软件ADS对一款S波段的GaNMOSFET进行优化仿真设计，得到了良好的仿真结果，并给出了该功放的实物和测试数据。测试结果表明，该功放适用于2．1～2．7GHz，功率量级为IOOW，连续波和脉冲制式均可工作，对GaNMOSFET功率器件高增益、高效率、宽带宽的优异性能得以验证和实现。