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硼掺杂有序介孔炭(B-OMCs)由于具有很好的化学反应活性、水热稳定性和电化学性能，被广泛应用于能量储存，电化学等领域。然而，随着B-OMCs的硼含量的增多，造成其有序度和比表面积等结构参数下降，使其在很多应用领域受到限制，尤其在超级电容器(EDLC)领域。本论文采用溶剂挥发诱导自组装法(EISA)，制备了B-OMCs，通过研究硼改性酚醛树脂(BPF)前驱体、溶剂、添加剂氯化钠(NaCl)、盐酸(HCl)、正硅酸四乙酯(TEOS)对自组装过程的影响，较为全面的了解了自组装过程介观结构形成的过程及机理。最终获得了高硼含量、高比表面积具有很好有序性的B-OMCs，并对制备的B-OMCs电性能进行研究。主要结果如下: (1)硼以化学键的形式接到B-OMCs炭骨架中。当BPF前驱体/F127模板剂质量比为1时，B-OMCs的比表面积最大，为552.22m2/g。以正丁醇为溶剂所得的B-OMC具有较高的比表面积和孔容，分别662.93m2/g和0.58cm3/g。 (2)在自组装过程加入氯化钠不利于有序B-OMC的形成。当自组装体系pH=4时，所得B-OMC-4的比表面积最大（689.85m2/g），硼含量最高（1.89wt％），有序度最好。TEOS为无机前驱时，得到的B-OMC-T*的比表面积为891.17m2/g，孔径为5.5nm。 (3)以氢氧化钾为电解质时，B-OMCs的CV曲线的偏差较大。当P=12MPa时，工作电极d=0.5cm时，其电化学性能最佳。以硫酸为电解质时，随当P=12MPa时，工作电极直径为0.5cm时，其电化学性能最佳。自组装体系pH=4时，在电流密度为0.2A/g时，其比电容高达200F/g。以TEOS为无机前驱体制备B-OMCs，电流密度为0.5A/g时，其比电容高达222F/g。