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近年来，GaN基LED得到了迅猛发展，被广泛用于显示、照明、医疗、科研等等领域。然而，与远景目标相比，GaN基LED的发光效率仍然需要大幅提高。与平面衬底和微米图形衬底相比，新型纳米图形衬底具有更优越的光提取增强和位错抑制能力，可实现更高的内量子效率和光提取效率。但是常规纳米图形衬底的制备工艺复杂，成本高，成为其实用化的瓶颈。本文基于低成本的碳纳米管图形衬底研究了GaN基LED的外延生长工艺和器件制备技术，并对材料及器件性能进行了深入的表征和分析。 我们研究的主要内容包括，优化基于碳纳米管图形衬底的GaN生长的外延技术，研究其成核机理，分析基于碳纳米管图形衬底的不同外延工艺的GaN生长、材料表征及LED器件的光电特性以及基于不同碳纳米管层数的碳纳米管图形衬底的材料表征及LED器件的光电特性。并通过退火去除碳纳米管验证碳纳米管吸光性质及其对LED器件性能的影响程度。获得的主要研究成果有： 1、研究了基于碳纳米管图形衬底的有无粗化层的两种GaN外延技术并分析了其成核机理，确定了不包含粗化层的外延过程是更适合碳纳米管图形衬底生长GaN的外延工艺，通过优化后的外延工艺生长得到了平整的、晶体质量较好的外延层薄膜和光电特性更优异的LED器件； 2、研究了不同碳纳米管层数的碳纳米管图形衬底，通过比较相应外延片的晶体质量和光电特性以及不同碳纳米管层数的碳纳米管图形衬底的透射率得出，随着碳纳米管层数的增加，外延片晶体质量提高，发光更集中，但是碳纳米管的吸光现象也更明显； 3、通过分析基于碳纳米管图形衬底的GaN基LED的光功率数据和PL数据测量值说明，碳纳米管图形衬底增加发光功率的主要原因是由于位错密度降低提高晶体质量引起的； 4、通过FDTD模拟进一步验证了嵌入碳纳米管的图形衬底对光的汇聚作用以及吸光现象； 5、根据不同退火时间去除碳纳米管图形衬底上碳纳米管的程度以及通过对应退火时间的LED器件的透射率和COW点测数据，验证了退火能够消除部分碳纳米管通过对样品的退火处理，其光输出功率提高了11％。