PZT薄膜界面“钝化”层电容测试方法的研究

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铁电存储器以其优越的存储特性得到了广泛的关注,其中应用和研究最为广泛的铁电材料是锆钛酸铅Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(简称PZT)。PZT具有较低的处理温度(最低结晶温度:450℃)和极高的自发极化强度(2Pr可达到60μc/cm~2)吸引了人们广泛的注意。但是PZT作为一种优秀的铁电材料,仍然存在以下几方面的问题限制了它的应用与发展:极化疲劳;电荷保持时间短;印记效应。PZT的这三个问题就像铁电存储器应用天空上的三朵乌云,如果不破开这三朵乌云,铁电存储器的研究将始终得不到发展,终将为历史
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