【摘 要】
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该文利用一维化方法,在有效质量近似下,计算了考虑阱中电子有效质量随空间位置的变化(SDEM效应)及不考虑SDEM效应的有限深抛物阱(PQW)中类氢杂质基态束缚能(Eb)及类2p与基态
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该文利用一维化方法,在有效质量近似下,计算了考虑阱中电子有效质量随空间位置的变化(SDEM效应)及不考虑SDEM效应的有限深抛物阱(PQW)中类氢杂质基态束缚能(Eb)及类2p<,±>与基态能级差△E<,2p-1s>, 并与相应方阱(SQW)作了比较.作者把一维化方法<[19]>推广到略去SDEM效应的有限深抛物阱中, 引入与方阱相同的试探波函数,得到了Eb及△E<,2p-1s>在杂质处于阱中心及阱边随阱宽的变化关系.作者计算了在三个特定阱宽中,方阱,略去SDEM效应及考虑SDEM效应的PQW中Eb及△E<,2p-1s>随杂质位置的变化曲线,得到了合理的结果.
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