【摘 要】
：
为了生长GaMnAs单晶外延膜,我们设计改装了一台超高真空分子束外延系统.它由生长室(真空度8.0X10Torr,配备有RHEED)和进样室并兼作样品的预处理室(真空度8.0X10Torr)组成.并
论文部分内容阅读
为了生长GaMnAs单晶外延膜,我们设计改装了一台超高真空分子束外延系统.它由生长室(真空度8.0X10<-10>Torr,配备有RHEED)和进样室并兼作样品的预处理室(真空度8.0X10<-8>Torr)组成.并独立设计制作了计算机PID控温装置,其温度控制精度达到1‰.在该系统上首先成功地实现了GaAs单晶外延膜的生长,得到精确控制生长的生长参数(衬底温度和Ga/As束流比等).为了生长出具有较高质量的GaMnAs单晶外延膜,研究了衬底温度和Mn蒸发源温度与RHEED衍射之间的关系.发现GaMnAs单晶的低温(310℃)生长中RHEED衍射图样显示为(1X2)再构,在此温度下生长的GaMnAs薄膜具有较好的质量.衬底温度过高或过低及Mn源温度偏高都会导致MnAs多晶形成,此时RHEED衍射图样显示为无规则的衍射斑点,表明有MnAs二次相出现,得到的不再是GaMnAs单晶.
其他文献
通过对宋代崔白《双喜图》的赏析使我们充分认识到，这段时间，因为北宋水墨山水画突飞猛进，从而影响花鸟画，已开始尝试以墨笔为骨敷彩的方法，使以成熟的水墨山水画技法融入花鸟画之
该文对随机非对称连接的Hopfield网络中,恢复带与伪稳定点带之间的分离与融合这一突变行为作了研究.结果表明,在存储容量大于临界值的情况下,网络的性能发生了一次新的突变.
该文的主要工作是：介绍并分析多频率合成系统的原理和海试结果,针对浅海水下信道特点,改进了系统电路,然后用TI公司的TMS320 F240 EVM板进行编程,编码方式由多频率合成改为直
GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题
该文利用色散关系在ππ散射中的应用,讨论了单道和双道中S矩阵和散射矩阵元的一些解析性质.并且分析了几个简单模型.在单道情形还计算了ρ介子共振态对ππ散射中左手割线的
该文系统地研究了热灯丝化学气相沉积法在石英衬底上(以硅和蓝宝石衬底为对比)沉积金刚石膜的成核、结晶和生长特性.并对石英衬底上沉积金刚石膜的应力问题作了深入研究,利用
近年来图像加密技术越来越受到人们的重视，已经提出了很多有效的图像加密方法。由于光学信息处理具有高速行、高并行性等特点，使得运用光学方法进行图像加密成为人们研究的热点
第一章介绍了新型超导材料MgB的研究进展.MgB研究的各个方面,着重其结构、制备、霍尔系数、压力效应、元素替代效应、临界场、临界电流密度等进行介绍.比较了几种超导材料的
方向准、导向正,创意新、质量优.党的十九大期间,新媒体报道全面发力,现象级产品不断涌现,新媒体已成重大时政报道生力军!本文试从党的十九大期间湖北日报客户端推出的两组图
该文讨论了介观超导-量子点-超导(S-QD-S)系统在非平衡状态下的量子输运性质.首先用非平衡格林函数方法建立了S-QD-S结在任意偏压下的电流公式.在有限偏压下,S-QD-S结中的量