GaN复合衬底及InGaN双异质结的生长及特性的研究

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【摘要】

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GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题

【作者】

：

周劲

【机构】

：

北京大学

【出处】

：

北京大学

【发表日期】

：

2002年期

【关键词】

：

GaN MOCVD HVPE GaN复合衬底 InGaN双异质结相分离拉曼谱

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GaN系半导本材料在高亮度的LEDs,短波长半导体激光器,紫外光探测器,高温高功率的电子器件等领域有着广泛的应用,尽管氮化物外延生长技术取得了极大的进程.但是仍然有许多问题没有得到解决.该论文集中于氮化物半导体材料的生长和探索它的物理问题.利用XRD,SEM,AFM and Raman scattering等手段研究它们的特性.

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