【摘 要】
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该文内容主要分为三部分.第一部分论述了SiC材料的结构、电学、化学等特性及其应用领域.第二部分讨论了SiC肖特基接触和欧姆接触的形成原理,并根据CFS理论中在隧道作用中起重
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该文内容主要分为三部分.第一部分论述了SiC材料的结构、电学、化学等特性及其应用领域.第二部分讨论了SiC肖特基接触和欧姆接触的形成原理,并根据CFS理论中在隧道作用中起重要作用的参数E<,∞>与kT的关系,判定了SiC材料欧姆接触的机理应是以热电子场发射机理论为主;由此得出接触电阻率的大小主要由掺杂浓度,势垒高度和温度三个因素决定,并分别模拟了接触电阻率与掺杂浓度和势垒高度的关系.第三部分讨论了利用Ni/Ti合金制备SiC肖特基势垒二极管和欧姆接触的实验计划、具体实验的实施及实验数据分析.
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