【摘 要】
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BiFeO3作为少数在室温下具有铁电和反铁磁性质的钙钛矿型材料之一,在信息存储、自旋电子器件和传感器等方面有着广泛的应用前景。本学位论文通过脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶
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BiFeO3作为少数在室温下具有铁电和反铁磁性质的钙钛矿型材料之一,在信息存储、自旋电子器件和传感器等方面有着广泛的应用前景。本学位论文通过脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶SrTiO3基片上以La0.65Sr0.35MnO3作为底电极生长了BiFeO3薄膜,对其晶体结构及其铁电性质进行了研究,论文的主要内容如下: (1)概述了BiFeO3薄膜的基本性质、制备方法以及国内外的研究进展。 (2)采用分析纯的La2O3、SrCO3、MnO2为原料,利用固相反应法制备了纯相La0.65Sr0.35MnO3靶材;采用分析纯的Bi2O3和Fe2O3为原料,利用固相反应法制备了纯相BiFeO3靶材,研究了靶材制备的工艺参数以及靶材的结构性质。 (3)利用准分子脉冲激光器(KrF,248nm,25ns),以单晶SrTiO3(001)为衬底,通过优化激光能量、沉积温度、氧压以及退火温度等工艺参数,成功制备了纯相的La0.65Sr0.35MnO3薄膜与纯相的BiFeO3外延薄膜。 (4)采用RT-66标准铁电测试系统测量了200nm厚度,以La0.65Sr0.35MnO3为电极的BiFeO3薄膜的铁电性质,并与以Au为电极的BiFeO3薄膜进行了对比。室温下观察到了薄膜的饱和电滞回线,得到其剩余极化强度为7.8μC/cm2。
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