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InP HBT具有非常突出的频率特性、良好的器件一致性以及击穿特性，是实现超高速数字/数模混合电路的最佳选择。论文对InP HBT器件及超高速数字电路进行了研究，所取得的主要研究成果如下：
1、基于能带工程理论，对含InGaAsP的复合式集电区结构进行了深入地研究，设计出无导带势垒尖峰的复合式集电区结构，分析了器件关键参数与集电区厚度和掺杂浓度之间的关系，并针对毫米波功率放大器和超高速数字电路的不同需求，设计了两种InP DHBT材料结构：DHBT-I和DHBT-II。
2、开发了基于Polyimide/BCB的平坦化工艺，此工艺不仅解决了传统微空气桥工艺在小尺寸发射极下引出的难题，而且提高了器件的散热性能。
3、开展了InP HBT关键工艺的研究，建立了具有自主知识产权的2英寸InPHBT工艺流程，制作了高性能的InP HBT器件，器件性能如下：发射极面积为1μm×15μm的DHBT-I，其f为170 GHz，fmax为253 GH，Kirk电流密度为1mA/μm2，BVCEO>6V；发射极面积为1.6μm×15μm的DHBT-II，其f为242GHz，fmax为106 GH，Kirk电流密度为2.1mA/μm2，BVCEO>5V；发射极面积为0.8μm×15μm的InP SHBT，其f为238 GHz，fmax为76 GH，BVCEO>3V。InP SHBT和InP DHBT的器件性能均达到国内领先水平。
4、设计并实现了基于InP DHBT工艺的静态分频器电路，此电路可在500MHz～40 GHz范围内工作，这是国内第一款基于InP DHBT工艺的可工作在毫米波频段的超高速数字电路。此电路的研制成功，验证了我们的工艺和设计水平，为今后向更复杂的超高速数字电路迈进，打下了坚实的基础。
综上所述，本文对InP HBT器件及超高速数字电路进行了研究，和以往的工作相比，大幅度改进了器件性能，研制的InP SHBT及InP DHBT器件性能均达到国内领先水平，另外在器件研究的基础上，研制成功40 GHz静态分频器电路，从材料设计到工艺开发，从器件到电路，完成了一整套的研究工作。