【摘 要】
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LED作为一种节能环保、寿命长和多用途的光源,越来越多的应用在现代生活中。倒装芯片技术(Flip-Chip Technology)解决了大功率LED散热能力差和出光率低的缺点,但FC技术对封装工艺的要求更加苛刻。本文即是对适用于大功率LED倒装芯片技术中凸点制备工艺进行的研究工作。本文主要对无氰电镀共沉积制备金锡合金凸点的方法进行了研究,内容包括镀液稳定性,电镀参数对镀层的影响以及Au70Sn30
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LED作为一种节能环保、寿命长和多用途的光源,越来越多的应用在现代生活中。倒装芯片技术(Flip-Chip Technology)解决了大功率LED散热能力差和出光率低的缺点,但FC技术对封装工艺的要求更加苛刻。本文即是对适用于大功率LED倒装芯片技术中凸点制备工艺进行的研究工作。本文主要对无氰电镀共沉积制备金锡合金凸点的方法进行了研究,内容包括镀液稳定性,电镀参数对镀层的影响以及Au70Sn30共晶凸点的制各方法等,通过研究发现:1.以仅在室温稳定的D.G.Ivey无氰金锡合金
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