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该文在研究自组织In(Ga)As/GaAs量子点的生长和物性的基础上,通过几种方法都成功的得到了具有室温1.3μm发光波长的量子点材料.并在此基础上进行了量子点激光器的生长和测试.该论文开展的主要研究内容和结果有:1)通过研究不同的应力缓冲层(In<,0.15>Ga<,0.85>As In<,0.15>Al<,0.85>As,GaAs buffer)对其上InAs量子点结构和发光性质的影响,成功的得到了室温1.3μm发光的高密度InAs量子点材料,其面密度达1.01×10<'11>cm<'-2>.室温下PL发光峰的最窄半高宽仅为22meV,这表明,这种结构的量子点尺寸较均匀.通过PL及AFM研究揭示在In<,0.15>Ga<,0.85>As应力缓冲层InAs量子点的尺寸演化过程.2)利用生长停顿技术及薄的GaAs间隔层,成功生长了柱装量子点.原子力显微镜结果表明这种方法生长的量子点均匀性有待于进一步提高.这一点在光致发光的结果中也得以证实.同时,光致发光的结果表明这种结构的量子点具有1.4μm的发光峰位,为实现1.3μm量子点激光器室温激射提供了另一种选择.3)量子点在光学上可以作为点缺陷来研究,利用深能级瞬态谱研究了具有In<,0.15>Ga<,0.85>As In<,0.15>Al<,0.85>As的InAs量子点的电学参数,测定了这种结构量子点的载流子激活能等.分析认为,量子点俘获载流子需要克服能量势垒,该势垒是由于应变效应在InAs量子点界面产生的.结合光致发光PL谱的实验结果,首次在实验上测定了具有In<,0.15>Ga<,0.85>As In<,0.15>Al<,0.85>As的InAs量子点的能带结构变化.4)介绍了量子点激光器的结构生长.研究了在生长激光器结构过程中,量子点有源区在经历较长时间700℃高温退火后其发光性质的变化.