闭合轨道理论在几个原子和力学体系中的应用

来源 :中国科学院理论物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ivsou
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文研究闭合轨道理论(Closed-orbit Theory)在几个物理体系中的应用。闭合轨道理论最初的发展是为了理解原子在强磁场中的复杂吸收谱振荡。本文使用该理论研究了环境对离子光剥离的影响(第三章)、环境对原子自发辐射的影响(第四章)和与一维谐振子链耦合的驱动振子的能量衰减问题(第五章)。   在第二章中,回顾了闭合轨道理论的发展,介绍了原子在强磁场中的吸收谱的闭合轨道理论。闭合轨道理论的物理图像为:当原子吸收了光子时,电子以电子波的形式从原子核向外传播,当电子波远离核时它的传播可以由半经典力学描叙,电子波波前与经典轨道垂直,传播沿着经典轨道进行。由于外场的作用,有一些轨道会回到核附近,这时与该轨道联系的波与出射波的干涉在吸收谱中产生一个可观测的振荡。   第三章中介绍负离子在环境中的光剥离问题,计算了光剥离截面随入射光能量的变化。本文先回顾了氢负离子在均匀电场中的光剥离的研究,然后讨论了金属界面附近的氢离子的光剥离问题。当入射光子能量高于阈值低于临界值时,金属界面附近的氢离子的光剥离截面可以表示为一个光滑项加一个振荡项,其中光滑项表示自由离子光剥离截面,振荡项与一个剥离电子的闭合轨道相联系;当入射光子能量低于阈值时光剥离截面随光子能量降低而减小;当入射光子能量高于临界值时光剥离截面和自由离子时一样。最后,讨论氢离子在均匀电场和反射界面附近的光剥离时,本文比较了传统量子力学计算结果和闭合轨道理论的计算结果。笔者发现光剥离截面随着入射光子能量的增加表现出尖锐的台阶状,传统量子力学结果和闭合轨道理论结果符合的很好。(早先的研究中闭合轨道理论结果给出了平滑的台阶状与传统量子力学结果不符)。   第四章中着重研究原子处于被两个平行的无限大的理想金属板夹着的非吸收性介质中的自发辐射率中的多周期振荡。笔者用量子电动力学方法和闭合轨道理论分别得到自发辐射率的公式。本文对量子电动力学公式进行傅立叶变换,得到自发辐射率的振荡周期和振幅。自发辐射率中的多周期振荡对应于不同的光子轨道。光子轨道为出射光子离开原子然后反射回原子附近的几何光学路径。笔者发现,当考虑较多的光子闭合轨道时,闭合轨道理论结果逼近于量子电动力学结果。闭合轨道理论给出了环境对原子自发辐射过程的新理解。在第四章中,也研究了原子处于扁平矩形腔中的自发辐射。   第五章研究了与一维谐振子链耦合的驱动振子的能量衰减问题。发现甲均能量衰减率随着驱动振子相对于链的边界的位置和谐振子频率的改变而周期振荡。该周期振荡与链中传播的机械波形成的闭合轨道有联系,即由驱动振子处出发的波与回来的波的干涉会给驱动振子的能量周期平均衰减率贡献一个正弦振荡。   在最后一章对本论文作了总结。
其他文献
本文首先采用有限元的方法对声学小房间进行墙面优化结构设计。在60Hz到120Hz的低频范围内,为获得最佳的频响曲线,用不同的阶梯形状作为墙面将平坦墙面替代。优化过程中引入频
光子晶体是近十几年来发展起来的一个新兴的研究领域,在以集成光子器件为基础的光通讯和光信息处理领域具有广阔的应用前景。国际上对光子晶体的研究已经从初期的注重理论研究
混沌动力学是一门新兴学科,起源于20世纪初,形成于20世纪60年代,在混沌动力学理论的研究中,各种混沌现象不断被发现,如:天气的变化,神经元网络中的混沌,心脏的跳动等,混沌几乎存在于一
GaN基宽禁带半导体材料由于其优越的物理和化学特性,在制备高温、高频、大功率微波电子器件方面具有巨大潜力和广阔的应用前景,GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)是目前国际上的研
我奶奶真了不起.她了不起在哪儿?数学好?不是.爱看书?不是.让我来告诉你吧,她很会做菜.rn奶奶做的菜可不一般呢!比外面餐馆做的都好吃.因为奶奶做菜做得太好吃了,所以,我们全
本论文研究的主要内容都是围绕大块金属玻璃中的玻色峰现象展开的。   首先测量了Pd基和CuZr基大块金属玻璃的低温比热与超声结果,其中都发现了低温比热异常现象,也就是一般
本文主要是用微扰的分析方法研究了(1+2)维亚强非局域非线性介质以及向列相液晶中孤子的传输情况.微扰方法不仅可以处理介质响应函数是规则函数的情况,比如高斯型的响应函数,而
作文教学是小学语文教学中的一个非常重要的内容,但同时却是一个难点。“老师怕教作文,学生怕写作文”已经成了一种普遍的现象。如何提高学生的作文能力,我觉得我们语文教师
本文在量子通信领域内作了一些工作,取得下列成果: 第一,提出了一个基于纠缠光子对的量子密钥分配网络方案,并首次提出了诱骗光子这种很有应用价值的量子技术。这个物理模型是
GaN是一种宽带隙(禁带宽度是3.4 eV)半导体材料,其化学和物理稳定性好,具有电子饱和迁移率高、临界雪崩击穿电场强度大、热导率高、耐高温、介电常数小等优点,在蓝、绿发光二极