中性汞原子磁光阱装载率的优化

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光晶格钟是当前计量科学研究中的热点。汞原子由于具有钟频跃迁受黑体辐射频移影响较小,核电荷数大,质量大等特点,成为下一代光晶格钟的热门候选。要实现汞原子光晶格钟,首先要利用1 S0-3 P1跃迁在磁光阱中对汞原子进行激光冷却和囚禁。提高磁光阱装载率,可以增加光晶格中的冷原子数目,从而降低量子投影噪声极限,提高光晶格钟性能。作者在攻读硕士学位期间从理论计算和实验测量两个方面,研究了三维磁光阱和二维磁光阱中的原子运动,来提高磁光阱装载率。  首先,计算了单腔磁光阱中汞原子感受到的光的散射力,分析了原子的一维运动规律,获得了特定参数下的磁光阱的最大俘获速率。在一维计算的基础上,使用随机数方法计算了三维磁光阱中的装载率。由于装载率和磁光阱中冷原子数目成正比,可以用实验测量结果和理论计算进行比较。通过已有实验系统上的测量,校准了磁光阱真空腔中的汞原子背景蒸汽压,并测量了稳态原子数。通过理论计算和实验测量探索了冷却激光的光强、冷却激光失谐量和磁光阱的磁场梯度对于稳态原子数的影响,获得了汞原子激光冷却最佳参数。计算结果和实验数据基本符合。  其次,通过二维磁光阱来产生高强度冷原子束流,降低了磁光阱区域的背景真空度,也可以进一步提高磁光阱的装载率。作者分析了不同方案的二维磁光阱的特点,建立了二维磁光阱的理论模型。计算了二维磁光阱的束流强度,以及相关参数对二维磁光阱性能的影响。  这些计算结果和实验测量,为进一步提高汞原子光晶格钟的装载率,从而提升汞原子光晶格钟的性能,提供了重要的科学依据。对汞原子光晶格钟的研究,具有重要的应用价值。
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