SiGeMOSFET的设计与研制

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硅锗器件具有异质结结构,能够大大提高载流子迁移率;且在工艺上与硅器件相容.作者所前年研制出了国内的第一批硅锗MOSFET,在其设计与工艺基础上对硅锗MOSFET,特别是NMOSFET的制作进行了进一步的研究,并成功试制出了有较理想特性的的硅锗PMOSFET和NMOSFET.首先在文献阅读的基础上,分析了硅锗超晶格的应变及其对能带结构的影响,提出 了应变硅锗层、应变Si层中的载流子传输特性模型.在了解硅锗MOSFET的基本纵向结构的基础上,分析了硅锗MOSFET的结构参数对其电学性能的影响,并以此为依据设计出了硅锗MOSFET器件结构.利用作者所研制的HV/CVD设备,按照所设计的结构生长了硅锗材料,并对其进行了双晶衍射测试,Raman测试和透射电镜测试,以测定材料的锗组分x和不同材料层的厚度.根据实际测得的结构参数,使用SILVACO进行了结构模拟,得出了沟道区的能带图和载流 子浓度分布图,并对器件的输入输出特性进行了模拟,提取了开启电压、电子迁移率等重要参数.
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