【摘 要】
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该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐振隧穿二极管的工作原理及其设计.我们在理论
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该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐振隧穿二极管的工作原理及其设计.我们在理论上对双垒单阱结构进行了分析,详细讨论了超晶格层对器件特性的影响,并在此基础上进行设计,制作和测试,并对测试结果进行了分析.主要的研究成果如下:1.设计研制出具有国内领先水平的谐振隧穿二极管,具有较高的电流峰谷比(PVCR),室温达到7.6:1;较好的频率特性,最高振荡频率为54GHz.2.测试并分析了RTD的直流特性、双稳态特性和电路特性.3.采用器件模拟软件"SILVACO"中的模拟程序"ATLAS"对谐振隧穿二极管进行了器件模拟,模拟了其直流特性,能带结构,模拟分析了势垒宽度、势阱宽度、势垒高度和掺杂浓度对其直流特性的影响.4.设计出由谐振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的静态分频器.并采用SILVACO软件对其中的HEMT进行了器件模拟,模拟结果显示出HEMT的设计是可行的.5.建立了RTD、HEMT的PSPICE电路模型,对RTD构成的MOBILE单元电路进行了研究和PSPICE模拟,并进一步模拟了由这种单元电路构成的静态分频器,模拟结果表明了RTD构成的MOBILE单元和静态分频器能够很好的实现其电路功能.
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