【摘 要】
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芯片内部温度场分布对采用90nm及以下深亚微米工艺生产的集成电路(如高性能通用处理器)芯片的性能影响很大，因此在其物理设计过程中应当考虑芯片内部温度场的影响，但目前还没有
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芯片内部温度场分布对采用90nm及以下深亚微米工艺生产的集成电路(如高性能通用处理器)芯片的性能影响很大，因此在其物理设计过程中应当考虑芯片内部温度场的影响，但目前还没有一种成熟的芯片级温度场分析工具可应用于这类芯片的物理设计。
本文提出了一种根据有限元分析法对芯片建模并进行热分析，最终得到芯片温度场分布的方法。该方法综合考虑了由芯片生产工艺决定的芯片内部结构，芯片的外部散热情况，并采用接近芯片真实工作情况的功耗分析结果模拟芯片的内部生热情况，在最大程度上近似了芯片在真实工作时的热传导情况。
利用该方法得到的温度场分析结果可作为深亚微米集成电路芯片进行考虑温度的物理设计时的参考温度场。
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