【摘 要】
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为了寻找制造量子点和量子线所需的多种形貌的模板,同时也为了进一步了解各种取向清洁硅表面的性质与特点,该论文对稳定硅表面进行广泛的搜索与研究.我们发现,为了这个目的,
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为了寻找制造量子点和量子线所需的多种形貌的模板,同时也为了进一步了解各种取向清洁硅表面的性质与特点,该论文对稳定硅表面进行广泛的搜索与研究.我们发现,为了这个目的,低能电子衍射（LEED）比扫描隧道显微镜（STM）更为快捷,从而用LEED研究了大量分布在极射投影三角内各处的高指数硅表面样品.由于大多数高指数硅表面是不稳定的,在被充分退火后会彻底小面化,使LEED图变得十分复杂,该文提出了一套行之有效的方法,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定,也就是说,能知道一个表面小面化到了分属哪几个稳定表面的小面.此方法用于样品表面的结果说明,这些表面的大多数是不稳定的,但通过分析出现的各个小面,我们发现了十个新的稳定表面：Si（20 4 23）,（314）,（317）,（15 1 17）,（17723）,（103）,（105）,（1111）,（108）和（212）.在以上研究中,为了有一个识别晶面所需的取向和尺度的参考系统,需从样品表面出发,找出一两个指数已知或易被确定的晶面.为此,我们还研究了大量的Si／In表面,找出了Si／In系统的全部稳定表面,并确定了它们的家族领地.
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