石墨烯光子晶体及其器件的研究

来源 :华南师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shuguang_888
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
现代新兴科技的发展,如硅基光电子、光子晶体等推动了各种光电子器件向更加小型化、集成化、多功能化等方向发展。石墨烯光电子学是现今光学领域的研究热点之一。由于石墨烯优越的光电可调特性,基于石墨烯光电器件的研究在集成多功能化的光子芯片研制中占据了非常重要的地位。现今关于石墨烯光子晶体的研究基本都只是停滞在石墨烯与光子晶体相结合,利用石墨烯的电调控特性改变光子晶体的一些原有属性的阶段,而在单片石墨烯上实现二维石墨烯光子晶体的研究较少。本文中我们提出了新型二维平板石墨烯光子晶体(FG-PC),利用周期性电极选择性的调控石墨烯,实现二维石墨烯光子晶体。我们在平板石墨烯光子晶体的基础上构建出可重构和调谐的石墨烯光子晶体缺陷直波导与谐振腔。通过合理设计调控电极,还可以构造出各种基于石墨烯光子晶体的光功能器件,实现各种基于石墨烯光子晶体光器件的单片集成,从而获得更高的片上集成度,这是本论文最主要的研究内容和创新点。本论文的研究内容和创新点主要包含以下几个方面:  1)简要介绍了光子晶体(PC)在集成光学中的应用和石墨烯及其可调谐光电器件的研究现状。着重介绍目前基于石墨烯光子晶体光电器件的研究进展。  2)介绍了时域有限差分(FDTD)法的计算原理,讨论了它在应用于光子晶体计算中其激励源和边界条件等方面的设置问题,为石墨烯光子晶体的研究提供了适当的方法。  3)介绍了一种简单的石墨烯电调控模型,分析了外界环境对石墨烯电导率的影响,具体拓展为费米能级与上下表面电介质分别对石墨烯等效折射率实部与虚部的影响。  4)提出了可重构/调谐的二维石墨烯光子晶体结构模型,重点分析了其光子能带结构随费米能级的可调特性及可重构/调谐的二维平板石墨烯光子晶体线缺陷直波导与点缺陷谐振腔的基本光学特性。这种结构模型可以构造出完美的二维石墨烯光子晶体,而不只是利用石墨烯的电调控性质,把石墨烯与硅光子晶体相结合改变硅光子晶体的一些属性而已。  5)基于二维石墨烯光子晶体的设计理念,提出了可调谐双石墨烯纳米盘超面结构模型,分析了双石墨烯纳米盘Fano共振的可调谐性质。与此前报道的传统石墨烯纳米带超面相比,这种结构不需要裁剪石墨烯片,避免了由于石墨烯纳米带可能引起的量子局域效应。同时只需要一个外部电压即可实现了真正意义上的可调谐功能,且此器件制作技术、工艺也比较简单成熟,因而具有一定的实用参考价值。  6)最后,对本论文的研究工作进行了总结,提出了以基于二维石墨烯光子晶体各种光电器件组成功能复杂的光子光路系统的展望。
其他文献
电磁波在特异材料中的传输特性一直以来都备受人们的广泛关注。特异材料一般是通过周期性排列的细金属线和开口谐振环构成的一种新型人工材料,该材料在特定的频率范围内因可同
应用实轴积分方法研究了充液井孔中的相控线阵声波辐射器向井外地层扫描辐射声场的方法。给出了相控线阵声波辐射器的二维谱、充液井孔中的相控线阵声波辐射器在井孔中产生的
惯性约束核聚变(IntertialConfinementFusion-ICF)是当今国际上的重大科研领域,有极为重要的科学意义和新能源应用前景。ICF实验研究的关键是高功率固体激光驱动器,它不仅要求
近场光学和THz辐射是近些年来光学研究的两个重要领域。本论文的研究目的是建立一种在THz辐射源的近场区实现高空间分辨率、高通量、超宽带探测的新方法。通过实验研究和理论
本研究介绍了关于deSitter,反deSitter时空的理论,研究了拓扑孤立子如畴壁,涡旋、磁单极等重要的物理模型,同时也探究了非拓扑孤立子模型及其在宇宙观测中的应用,详细讨论了拓扑
高重频脉冲因其在光通信、光频梳、高速光采样以及非线性研究等领域具有重要应用价值而备受关注。如何产生高重频脉冲,目前主要技术有:短腔法,通过缩短腔长来得到高重复率的脉
超导铜氧化物的母体化合物是电荷转移型绝缘体,在少量的空穴掺杂下O2p电子具有一定的巡游性,而Cu3d电子仍是局域的。基于这一电子结构,铜氧面的反铁磁性应当用Kramers-Anderson
2012年到了,每个小朋友都长大了一岁。想知道陪伴你们的好朋友——《小朋友》杂志今年年多大了吗?说出来肯定吓你一跳!我们这位《小朋友》可比大家的爷爷奶奶还“高龄”呢!它今年整整90岁了!  不过,《小朋友》可神奇了,它永远也不会变老!今天,咱们一起来看它几十年前、十几年前、几年前分别是什么模样,你还可以邀请爷爷奶奶、爸爸妈妈一起来看,说不定其中哪一期,是他们也读过的呢!  这一期的封面,是“三毛之
期刊
近年来,关于GaN基薄膜半导体和稀土发光材料等新型光电材料的研究吸引了众多科研人员的热忱。GaN基半导体具有较宽的禁带宽度、直接带隙跃迁、通过掺杂其带隙可调控至整个可见
本工作以Co γ射线(0.30Gy/min)对肿瘤细胞进行不同的照射:A,假照射,B,5cGy照射,C,5cGy照射后4h或8h再以3Gy照射,D,3Gy照射.照射后测定细胞周期和克隆存活率.分析了5cGy γ射