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采用磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备VO<,2>薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析、原子显微镜(AFM)、傅立叶红外光谱分析及四探针测试方法,研究了薄膜制备工艺条件对薄膜的相成分和光电性能的影响,并测试分析了薄膜的电学热稳定性.XRD分析表明,薄膜沉积时的衬底温度和退火工艺对薄膜的相成分影响很大.在400℃沉积的薄膜为非晶态;在430℃到500℃沉积的薄膜由VO<,2>(M)相和有取向生长的V<,6>O<,13>相组成.AFM结果显示,随着衬底温度的提高,薄膜表面粗糙度增加,但衬底温度为430℃的薄膜要高于450℃时沉积的薄膜的表面粗糙度;退火处理有利于薄膜的表面均匀化,使薄膜的表面粗糙度降低.傅立叶红外光谱显示,各种工艺参数制备的薄膜的红外吸收特性基本相同,随着波数的降低,透射率增强,即长波段的透射进一步加强,说明红外吸收有所降低.研究结果表明,VO<,x>薄膜具有很好的热稳定性.不同工艺参数制备的薄膜的热稳定性不同,但差别不大.经过1-2次热循环以后,薄膜电阻和热电阻温度系数(TCR)增加幅度减小,并逐渐趋于稳定.