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碲镉汞(HgCdTe)是一种非常重要的红外探测器材料，能够准确测出它的载流子浓度、迁移率等电学参数对于评价材料性能进而提高器件成品率是非常重要的。工程应用测量中，常常会存在短波碲镉汞晶片电学参数测量的重复性不好等问题，探究其中问题存在的原因是非常必要的。本论文围绕提高霍耳效应测试准确性开展，针对于满足短波碲镉汞高阻材料的测试需求，以测试过程中的误差消除为主要内容，研究了测试中的附加电压和接触电极工艺。主要内容如下：
搭建了基于LabVIEW的多样品霍耳测试系统，实现了较为人性化的Windows界面，磁场的精确控制，数据电子格式储存，以及霍耳电压的记录。另外，系统还具有较强的扩展性能，目前已扩展了I-V测试系统，变磁场霍耳测试系统。论文分硬件和软件两个部分对其进行详细的分析。
研究了范德堡霍耳测试方法，分析了测试过程中引起霍耳电压误差的几种副效应，讨论了对5种副效应消除的方法，并在实验中得到证实。讨论了第五种电压随着测试电流和被测样品组分的变化，得到了较有规律的曲线。
比较了两种方法制作的接触电极在不同的退火条件下的I-V特性，得出250℃60s较优化的条件。测量了退火后接触的比接触电阻，化学镀层法为0.129Ω·cm2，溅射镀膜法为0.145Ω·cm2。
分析了退火对接触界面的影响，发现退火后界面形成高氧层，导致界面态密度降低，使接触势垒降低。拟合出两种退火条件下接触势垒的高度，在退火条件100℃120s下为0.170eV，在退火条件150℃120s下为0.133eV。
对工程项目投片和优质芯片的参数进行正态分布统计，得到期望值μ和方差σ。将统计结果进行对比，优化投片标准。