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近年来,由于光纤磁场传感器的诸多性能优势,如抗电磁干扰能力强,重量轻,体积小以及带宽大等等,在研究中受到了越来越多的关注。一些物理现象,如法拉第效应、磁力等等,都可以用于制作光纤磁场传感器,这其中,最流行的莫过于基于磁致伸缩材料的光纤磁场传感器的研究。然而,磁致伸缩材料非常脆弱,在高频工作状态下会因低电阻率而产生较强的涡流效应。因此,本课题提出了一种磁致伸缩复合材料,以求性能上的提高。在本文中,我们设计了一种新型的微型光纤磁场传感器,通过将DBR光纤激光器嵌入环氧树脂与Terfenol-D粉末混合的磁致伸缩复合材料中而制得。DBR光纤光栅激光器是利用一个193nm准分子激光器,在掺铒光纤上分别刻写长度为6.5mm和5.5mm的光栅,光栅间距为5mm而制得。磁致伸缩复合材料是按照Terfenol-D粒子、E44环氧树脂和650聚酰胺固化剂体积比为1:10:10混合制备而成。当施加横向磁场时,磁场诱导磁致伸缩复合材料发生形变。磁场传感器的机械结构将形变转换成横向应力施加于嵌入的DBR光纤激光器上。然后,激光的双折射发生改变,最终表现为拍频信号的变化。通过鉴别拍频信号频率的变化,来测量施加的磁场强度。经测量,本文提出的磁场传感器的灵敏度可达10.5Hz/μT,磁场测量范围高达约0.3T。本论文的主要内容如下:首先,我们研究双偏振光纤激光器的制备。利用相位掩膜法及193nm准分子激光器,在掺饵光纤上直接刻写与模板波长相匹配的光纤光栅对,进而研制出了具有两个正交偏振态的单纵模DBR光纤光栅激光器,并通过退火处理提升了DBR光纤激光器的性能。其次,利用Terfenol-D粉末,环氧树脂E44及其固化剂,对磁致伸缩复合材料进行了制备,建立了树脂基磁致伸缩复合材料的受力模型,并进行了公式推导。对制备过程中的工艺与注意事项进行了简短的讨论。再次,实现了基于磁致伸缩复合材料的DBR光纤磁场传感器,根据光纤中的双折射效应,推导了光纤激光器的拍频漂移与待测磁场之间的关系,实验上实现了对磁场的测量,验证了相关的理论的准确性及实验模型的有效性。最后,对整篇论文进行了简要的总结与回顾,对基于磁致伸缩复合材料的光纤磁场传感器的应用领域与前景进行了展望。