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透明导电氧化物(TCO)薄膜材料有机地结合了物质的透明性和导电性,成为广大科研工作者探索的重点。氧化镍(NiO)是具有典型的3d电子能带结构的p型宽带隙半导体,由于NiO薄膜具有出色的光电性能,在光电子器件方面广泛应用。目前,NiO薄膜导电性能的共掺调控机制尚不清楚,有待进一步探索。为此,本文采用溶胶凝胶法,在Si衬底和蓝宝石衬底上分别进行非故意掺杂、Li掺杂和Cu-Li共掺杂NiO薄膜的制备工作,系统地研究了掺杂方式、掺杂浓度、退火温度和退火时间等因素对NiO薄膜结构和光电特性的影响。其主要研究工