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铁酸铋(BiFeO_3)是迄今为止发现的唯一一种在室温下同时具有铁电性和G型反铁磁性的单相多铁性材料,具有较高的居里温度(T_c=1103K)和奈尔温度(T_N=643K),在传感器、自旋电子器件及信息存储等领域有较大的潜在应用价值。但是由于BiFeO_3材料存在漏电流密度较大和磁性较弱等问题,无法满足实用要求。本文采用掺杂和外延两种途径提升BiFeO_3薄膜的铁电性能和磁学性能,主要研究工作如下:首先,在 Si 基板上制备了Bi_(1-x)Gd_xFeO_3(x=0.05、0.10、0.15、0.