【摘 要】
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作者选择了In3mol﹪,采用Czochralski法,选择适当的温度梯度,提拉速度和旋转速度等晶体生长工艺参数生长了In:Fe:LiNbO晶体,并对生长出来的晶体进行了极化和氧化或还原处理,得
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作者选择了In3mol﹪,采用Czochralski法,选择适当的温度梯度,提拉速度和旋转速度等晶体生长工艺参数生长了In:Fe:LiNbO<,3>晶体,并对生长出来的晶体进行了极化和氧化或还原处理,得到了质量优良的光折变晶体.在晶体的光折变性能的测试中,In(3mol﹪):In:Fe:LiNbO<,3>晶体的抗光致菜射能力比In:Fe:LiNbO<,3>晶体高两个数量级以上.作者在光谱测试中,验证了研究人员掺入的In浓度已经达到阈值浓度,并推断了In离子在晶体中的占位.在文章最后,作者对晶体全息光栅的热固定进行了实验,获得了In:Fe:LiNbO<,3>晶体的离子活化能,并与In:Fe:LiNbO<,3>晶体进行了比较与说明.从理论上计算了In:Fe:LiNbO<,3>晶体热固定光栅在常温上的寿命可达到10,000年以上.
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