【摘 要】
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叠层片式压敏电阻器(MLCV)和高电位梯度压敏电阻器是当前ZnO压敏陶瓷应用的两个重要方面.该文基于这两个问题,进行了低温烧结ZnO-硼硅铅锌玻璃体系和CeO掺杂高电位梯度ZnO-Bi
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叠层片式压敏电阻器(MLCV)和高电位梯度压敏电阻器是当前ZnO压敏陶瓷应用的两个重要方面.该文基于这两个问题,进行了低温烧结ZnO-硼硅铅锌玻璃体系和CeO<,2>掺杂高电位梯度ZnO-Bi<,2>O<,3>体系压敏陶瓷的相关研究.借助扫描电镜(SEM)观察和致密化参数测量,研究了ZnO-硼硅铅锌玻璃体系的烧结过程.通过改变玻璃配方和工艺条件,研究了它们对1000℃和1050℃下烧结的玻璃系压敏电阻致密化特性和电性能的影响.并根据这些实验结果,提出了进一步改善体系低温烧结特性和电性能可供参考的配方和工艺原则.采用文中所研究的具有良好电性能的ZnO-玻璃系压敏陶瓷配方,借助实验室自制的工具,进行了玻璃系MLCV的初步制备,并对烧结温度对MLCV结构和性能的影响进行了讨论.借助SEM、EDX、和XRD分析以及电流—电压特性I-V和电容—电压特性C-V的测量,研究了掺杂范围在0~0.9mol％之间的CeO<,2>对ZnO-Bi<,2>O<,3>系压敏陶瓷显微结构和电性能的影响.发现CeO<,2>具有明显的晶粒尺寸细化作用,因此能显著提高试样的击穿场强,与此同时试样的致密化程度和非线仍保持在较高的水平.
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