【摘 要】
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该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅补底上制备一层钛铌酸锶薄膜,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极,从而制备形成平面型薄膜光敏电阻器.该文首先介
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该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅补底上制备一层钛铌酸锶薄膜,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极,从而制备形成平面型薄膜光敏电阻器.该文首先介绍光和光敏传感器的基本理论,然后讨论光与半导体材料的相互作用、光电导机理,并对钛铌酸锶薄膜的物理性质、元件的结构和物理效应进行分析,对光电导增益、灵敏度等参数作了较详细的讨论.同时,从元件的物理结构和光敏机理出发,建立了一个能解释该元件饱和光敏机理和最大光电导增益的平板电容器数学模型,推导出元件的光电导效益、比灵敏度、光电流、照度和电压以及电极间距的关系式,根据这些式子便可以研究照度、电压和电极间距对钛铌酸锶膜光敏特性的影响.该研究利用钛铌酸锶膜的光敏特性,通过设计辅助的外围电路与敏膜一起构成光照度计.由于敏感膜的非线性特性,以及输出信号变化范围很大,所以该文采用带有微处理器的电路系统来解决这些问题.主要是通过查表的方法来进行线性补偿,这一方法非常有效.另外,采用了两级以及自动改变放大倍数的放大电路去放大信号.
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