【摘 要】
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该文论述C膜暗电导、光电导和光诱导效应的测量表明C薄膜电学性质和光学性质与薄膜结构和环境气氛有很大关系,高温退火可使C非晶膜晶化,从而引起其输运性质的变化.C与n-Si和P
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该文论述C<,60>膜暗电导、光电导和光诱导效应的测量表明C<,60>薄膜电学性质和光学性质与薄膜结构和环境气氛有很大关系,高温退火可使C<,60>非晶膜晶化,从而引起其输运性质的变化.C<,60>与n-Si和P-Si接触的电流—电压(J-V)特性测量表明两种接触导电极性相反,后者具有强的整流特性,真空蒸发法制备了硫掺杂C<,60>薄膜,电学性质测量结构表明C<,60>硫掺杂是一种n型掺杂,微量的硫掺杂可使薄膜电导显著提高.C<,60>的硼取代掺杂是实现C<,60>P型掺杂的重要途径,作者采用硼、碳复合棒弧光放电的方法合成了宏观量的硼掺杂C<,60>样品,质谱分析表明其为取代式掺杂.
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